Introducción y aplicación de CAS No.22398-80-7| FÓSPHIDO INDIO

Sinónimos: InP; INDIO (III)PHOSPHIDE;

Fosfinotriilindio (III);

Indiumphosphide/99.999%;

ChemicalbookIndiumphosphide(99.999%-In)PURATREM;

Indiumphosphidewafer;

Metales de fosfuro de indio piezas base anddown negro

Especificación:

Propiedades químicas:

El fosfuro de indio tiene cristales de color gris oscuro con un brillo pitchy. Punto de fusión 1070 ℃. La presión de disociación bajo el punto de fusión es 2.75Mpa. Muy ligeramente soluble en ácidos inorgánicos. Constante dieléctrica: 10,8. ¿Movilidad del electrón: cerca de 4600cm2/V?s. ¿Movilidad del agujero: cerca de 150cm2/V?s. Tiene propiedades semiconductoras.

Uso: Utilizado como material semiconductor y utilizado en tecnología de comunicación de fibra óptica, que requiere fuentes de luz y receptores en el rango de 1,1 ~ 1.6μm. El crecimiento de láseres de heterounión doble In-GaAsP en sustratos InP puede cumplir con los requisitos de coincidencia de celosía y rango de longitud de onda.

Método de producción:

El método más importante es preparar fosfuro de indio monocristal utilizando un horno de cristal único de alta presión, y la densidad de dislocación del cristal se reduce dopando impurezas electrónicas. En la epitaxia en fase de vapor, se usa principalmente el método de desproporción del sistema de In-PCl3-H2. En este proceso, la reacción entre indio (99,9999%) y tricloruro de fósforo (99,999%) se utiliza para hacer crecer la capa de fosfuro de indio. En la epitaxia en fase de vapor, el tubo de reacción de cuarzo se coloca en un horno eléctrico de zona de doble temperatura, y se mide el hidrógeno purificado de alta pureza. El hidrógeno también se utiliza para diluir el tricloruro de fósforo. En este momento, el burbujeador se mantiene a 0 °C, y el hidrógeno en el tubo de reacción se pasa a través. La velocidad lineal es de 14 cm/min. El crecimiento epitaxial se divide en varias etapas. En la primera etapa, se coloca un bote de cuarzo que contiene indio en el área de la fuente media del horno eléctrico, se introduce gas hidrógeno y se calienta a 700-850 ° C, y se introduce tricloruro de fósforo con gas hidrógeno, y se reduce a vapor de fósforo y vapor de fósforo por encima de la fuente de indio. Cloruro de hidrógeno. El hidrógeno-cadmio reacciona con el indio para generar vapor de cloruro de indio que migra en el tubo. El fósforo se disuelve en indio hasta que se satura. En la segunda etapa, la fuente de indio permanece en su posición original sin calentamiento, y el sustrato de cristal único se coloca en la segunda zona de calentamiento del horno eléctrico y se calienta a 600 a 750 ° C en una atmósfera de hidrógeno. Primero, el gas hidrógeno se usa para introducir tricloruro de fósforo en el tubo para realizar la corrosión en fase de vapor en el sustrato y limpiar la superficie del sustrato. Entonces se introduce hidrógeno directamente en el tubo de reacción y la fuente se calienta a su temperatura de sobresaturación (que es 100 °C más alta que la temperatura del cristal de sustrato durante la operación). El tricloruro de fósforo se introduce entonces burbujeando hidrógeno. En este momento, el vapor de fósforo reacciona con el cloruro de indio generado en la región fuente, y se deposita una capa de fosfuro de indio y se hace crecer sobre el sustrato. Cuando se completa el crecimiento epitaxial, se introduce hidrógeno puro en el sistema, las dos zonas de temperatura se enfrían a temperatura ambiente y el producto se saca para obtener el producto terminado de fosfuro de indio.

Paquete y transporte:

Paquete: 10G, 25g,50g,100g,250Por g

Transporte: por el mensajero/por el aire/por el mar